本成果屬于超導(dǎo)帶材檢測(cè)領(lǐng)域。 主要內(nèi)容及特點(diǎn)包括： 1.超導(dǎo)背場(chǎng)磁體的設(shè)計(jì) 1)高溫超導(dǎo)均勻背場(chǎng)磁體的設(shè)計(jì) 高溫超導(dǎo)磁體線圈采用螺管結(jié)構(gòu),對(duì)繞組幾何形狀進(jìn)行了優(yōu)化,采用外凹型高溫超導(dǎo)繞組保證了磁場(chǎng)的均勻性。并應(yīng)用了數(shù)值方法對(duì)其電磁特性和熱特性進(jìn)行了分析。 2)低溫超導(dǎo)均勻背場(chǎng)磁體的設(shè)計(jì) 低溫超導(dǎo)磁體線圈采用一對(duì)亥姆霍茲線圈,設(shè)計(jì)中心所需的勻強(qiáng)磁場(chǎng)能夠達(dá)到4T。 2.超導(dǎo)磁體的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì) 進(jìn)行了制冷機(jī)二級(jí)冷頭與磁體之間的高熱密度傳熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),并采用了高真空多層絕熱技術(shù),解決了冷卻系統(tǒng)中的傳導(dǎo)和漏熱的關(guān)鍵問題。 3.低溫超導(dǎo)背場(chǎng)磁體系統(tǒng)的工程制備 綜合對(duì)比高溫超導(dǎo)背場(chǎng)磁體和低溫超導(dǎo)背場(chǎng)磁體的性能參數(shù)和成本造價(jià),制備時(shí)選擇低溫超導(dǎo)背場(chǎng)磁體的設(shè)計(jì)方案。低溫超導(dǎo)背場(chǎng)磁體系統(tǒng)的主要技術(shù)參數(shù)及性能指標(biāo)如下： 背景磁場(chǎng)：0～4T連續(xù)可調(diào); 超導(dǎo)帶材溫度：20～77K連續(xù)可調(diào); 超導(dǎo)帶材控溫精度：±0.1K; 超導(dǎo)帶材與背景磁場(chǎng)角度調(diào)整：0～360°; 超導(dǎo)帶材冷卻方式：低溫氦氣間接冷卻（冷源：RDK-408S制冷機(jī)）; 超導(dǎo)磁體冷卻方式：制冷機(jī)傳導(dǎo)冷卻（冷源：RDK-415D制冷機(jī)）; 低溫超導(dǎo)磁體運(yùn)行電流：107A; 低溫超導(dǎo)磁體勵(lì)磁方式：電源驅(qū)動(dòng)式; 低溫超導(dǎo)磁體電感：22H; 低溫超導(dǎo)磁體儲(chǔ)存能量：125.5KJ; 低溫超導(dǎo)磁體保護(hù)回路：分段保護(hù)方式。